Numero di Prodotto del Fabbricante:
TSM900N10CH X0G
Product Overview
Produttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numero di Parte:
TSM900N10CH X0G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 15A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
12896997
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TSM900N10CH X0G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1480 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-251 (IPAK)
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numero di prodotto di base
TSM900
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
TSM900N10CHX0G
TSM900N10CH X0G-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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